度,除了提高光刻机精度以外,普遍采用的就是多层图案技术,其中又以林晶圆的看家秘籍,LELE技术为主流。
除了多层图案技术,还有几个发展方向,多层封装技术就是其中之一。
提高芯片的集成度,本质上来说,就是提高单位面积上晶体管数目的过程。
LELE技术,把一个图层分批加工刻蚀,达到图案增密的效果。
多层封装,干脆就是把多层芯片摞在一起。
这多简单。
(在中芯国际发生的,梁孟松辞职案,梁孟松与蒋尚义之间的分歧,就是LELE技术与多层封装路线之争。)
多层芯片技术成熟后,在内存,Flash闪存等领域得到了普及。因为这些芯片的图案,各层之间是一致的。
于是内存芯片的层数,就开始了不断增长的过程。后世投入商用的层数,高达256层了。
在3D封装技术的加持下,内存芯片上的有效晶体管密度,算起来,早就低于1纳米了,甚至低于纳米!
林晶圆的多层封装技术,经过近两年的探索,即将进入实用阶段。
多层封装中最困难的步骤,就是层间打孔技术。
这个技术一突破,剩下的就没有什么了。
在3D封装技术的加持下,林晶圆的内存产品,即将面世。
张百华团队,将被独立出来,成立内存事业部,将来甚至会被分拆。
虽然Flash闪存市场还没有成气候,但仅仅是RAM内存一块,其市场规模和容量,就达到数千亿美元级别,接近,甚至超过TFT液晶了。
这个市场,林晶圆无法独享,但是先手一步棋的价值,至少以百亿美元计算。
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“师姐,张师兄他们的内存马上要面世了,你的真三维芯片什么时候面世呢?”
一群人来了兴致。
真三维芯片,肯定比假三维来得高大上啊。
“嗯,我也不知道。现在有很多困难。我感觉弄不好十年之内都实用不了。”
魏惜寒团队研究的东西,被后世称为FinFET,和GAP。至于是否真的是同一个东西,就连成永兴也无法确认。
3维芯片面世的主要难点在于加工成本,和材料。
虽然3维结构的半导体原件,有很多优点,例如更低的电流损耗,更高的密度等。但不是所有半导体器件都能做成三维结构。
在同一层电路上,有些是三维结构,有些是二维的,那么在向上加工的时候,就会在高层空间上产生浪费现象。
所以,采用3维芯片结构,获得的收益,远远低于付出的加工成本。后世是在14纳米遇阻的情况下,硬着头皮突破的。
“就这样光研究,没有产出?”
大家闻言,失望之情,溢于言表。
“暂时是这样,不过也不能算没有收获。至少专利申请了一大堆。”
即
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